توسعه سلول‌های پروسکایت توسط چین با بازدهی ۲۶.۳۹٪ و حفظ ۹۵٪ بعد از ۱۱۰۰ ساعت

محققان در چین یک نسخه جدید از سلول‌های خورشیدی پروسکایت با بازدهی بالاتر توسعه داده‌اند. این سلول‌های خورشیدی پروسکایت که توسط دانشمندان دانشگاه هو‌چیائو توسعه یافته‌اند، بازدهی ۲۶.۳۹٪ را ارائه می‌دهند.

محققان همچنین فاش کردند که این سلول‌ها از لایه بینابین انتخابی حفره که از نشر یون‌ها جلوگیری می‌کند، برای افزایش ثبات دستگاه استفاده می‌کنند. عمده علت عدم پایداری سلول‌های خورشیدی پروسکایت به باور عمومی مهاجرت یون است.

آن‌ها ادعا کردند که سلول‌های خورشیدی پروسکایت عمر کارکرد محدودی نشان داده‌اند که عمدتاً ناشی از نشر لایه‌به‌لایه یون‌ها در ناحیه اتصال پروسکایت/لایه حمل‌کننده حفره دوپ‌شده است که موجب کاهش هدایت الکتریکی در HTL و از دست دادن اجزای پروسکایت می‌شود.